SUNX光幕傳感器結(jié)構(gòu)分析SF4B-F63G(V2)

技術(shù)參數(shù)

光軸數(shù)              63

檢測(cè)高度(防護(hù)高度) 644mm

(注)：用作「國(guó)內(nèi)沖壓設(shè)備的安全裝置」時(shí)，檢測(cè)高度為本裝置的1光軸的中心到然后一個(gè)光軸的中心的距離。

檢測(cè)高度(防護(hù)高度) : 用作沖壓設(shè)備用安全裝置使用時(shí) 620mm

(注)：用作「國(guó)內(nèi)沖壓設(shè)備的安全裝置」時(shí)，檢測(cè)高度為本裝置的1光軸的中心到然后一個(gè)光軸的中心的距離。

消耗電流    投光器：100mA以下

            受光器：160mA以下

PFHD    4.4x10-9

環(huán)境性能:保護(hù)構(gòu)造 IP67/IP65(IEC)

環(huán)境性能:使用環(huán)境溫度 -10～+55℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲(chǔ)時(shí)：-25～+70℃

環(huán)境性能:使用環(huán)境濕度 30～85％RH、存儲(chǔ)時(shí)：30～95％RH

環(huán)境性能:使用環(huán)境照明度 白熾燈：受光面照明度3,500 lx以下

環(huán)境性能:耐電壓    AC1,000V 1分鐘 所有電源連接端子與外殼之間

環(huán)境性能:絕緣電阻 所有電源連接端子與外殼之間、20MΩ以上、基于DC500V的高阻表

環(huán)境性能:耐振動(dòng)   頻率10～55Hz 雙振幅0.75mm X,Y和Z方向各2小時(shí)

環(huán)境性能:耐沖擊   加速度約300m/s2(約30G) X,Y和Z方向各3次

檢測(cè)距離(有效距離) 0.3～7m

(注)：檢測(cè)距離是在投光器和受光器之間可設(shè)定的范圍。

小檢測(cè)物體 ?14mm的不透明體

(注)：使用浮動(dòng)消隱功能時(shí)、小檢測(cè)物體的大小會(huì)改變。

有效開口角 檢測(cè)距離過(guò)3m時(shí)、為±2.5°以下(基于IEC 61496-2/UL 61496-2)

控制輸出(OSSD 1、OSSD 2):工作模式(輸出動(dòng)作) 所有光軸入光時(shí)ON、1個(gè)以上光軸遮光時(shí)OFF(光幕傳感器內(nèi)部異常及同步信號(hào)異常時(shí)OFF。)

            (注)：屏蔽時(shí)、即使光軸被遮光也不會(huì)OFF。

            (注)：消隱功能有效時(shí)、工作模式改變。

控制輸出(OSSD1、OSSD2):保護(hù)電路(短路保護(hù))     配備

反應(yīng)時(shí)間      OFF反應(yīng)時(shí)間：14ms以下

                ON反應(yīng)時(shí)間：80～90ms

電源電壓  24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%以下

控制輸出(OSSD 1、OSSD 2)   PNP開路集電極晶體管/NPN開路集電極晶體管(切換式)

            ?PNP輸出選擇時(shí)：較大源電流200mA

            ?NPN輸出選擇時(shí)：較大流入電流200mA

            ?外加電壓：與電源電壓相同(PNP輸出選擇時(shí)：控制輸出和+V之間、NPN輸出選擇時(shí)：控制輸出和0V之間)

            ?剩余電壓：2.5V以下(PNP輸出選擇時(shí)：源電流200mA、NPN輸出選擇時(shí)：流入電流200mA)(電纜長(zhǎng)20m時(shí))

SUNX光幕傳感器結(jié)構(gòu)分析SF4B-F63G(V2)