電 話：021-39526589
網(wǎng)址：shswe.cn
地 址：上海嘉定區(qū)嘉涌路99弄6號(hào)樓713室
特點(diǎn)
寬31×高35×進(jìn)深68mm。與PYF尺寸相同。
單獨(dú)接點(diǎn)、單獨(dú)線圈。
用短路棒（另售） 簡單連接共用端子。 而且還可以共用連接臨近的終端。
端子蓋可防止觸電事故。
備有內(nèi)置繼電器型和功率MOS FET繼電器型，品種齊備。
帶動(dòng)作指示LED。
內(nèi)置線圈浪涌吸收用二極管。
DIN導(dǎo)軌安裝、螺釘安裝共用。
附帶繼電器的拆卸工具。
標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品獲得UL、CSA、VDE標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品 （VDE品僅限G6D-F4B）。
開關(guān)部（單個(gè)G6D繼電器）
負(fù)載 電阻負(fù)載(cosφ＝1)
額定負(fù)載 AC250V 3A、DC30V 3A
額定通電電流 5A
接點(diǎn)電壓的較大值 AC250V、DC30V
接點(diǎn)電流的較大值 5A
開關(guān)容量較大值(參考值) 1,250VA、150W
輸出（單個(gè)G3DZ功率MOS FET繼電器）
負(fù)載電壓 負(fù)載電流 浪涌ON電流耐量
AC3～264V
DC3～125V 100μ～0.3A 6A (10ms)
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