ATOS壓力傳感器E-ATR-8/400/I結(jié)構(gòu)方式
編碼ESP-RI-TEB-N-NP-05H
ATOS比例閥: DPZO-TEB-SN-NP-471-L5/E
LIQZP-LEB-SN-NP-402L4
比例調(diào)節(jié)電磁網(wǎng)RZMO-P2-02-REB-P-NP-010/210
單向節(jié)流閥;HQ-023/U ATOS
電磁閥QVHZO-A-06/12 2024VDCATOS
DKE-1714/WP
DHZO-TEB-SN-NP-071-S5
ATOS E-RI-LEB-N-NP-01H 11/DLHZO-LEBQP-SN-NP-060-V71
ATOS 14W1120DPZO-LES-SN-NP-260-L5/B
ATOS E-RI-LEB-N-NP-01H/Q11 DLHZO-LEBQP-SN-NP-060-V71
ATOS 電磁閥線圈 SDKE-1751/2 10S/PE 24V
如果將傳感器強(qiáng)行安裝在過小的孔或形狀不規(guī)則的孔中,就有可能造成傳感器的震動(dòng)膜受到?jīng)_擊而損壞,選擇合適的工具加工安裝孔,有利于控制安裝孔的尺寸,另外,合適的安裝扭矩有利于形成良好的密封,但是如果安裝扭矩過高就容易引起高溫熔體壓力傳感器的滑脫,為防止這種現(xiàn)象發(fā)生,通常在傳感器安裝之前在其螺紋部分上涂抹防脫化合物。
我們知道,晶體是各向異性的,非晶體是各向同性的。某些晶體介質(zhì),當(dāng)沿著一定方向受到機(jī)械力作用發(fā)生變形時(shí),就產(chǎn)生了極化效應(yīng);當(dāng)機(jī)械力撤掉之后,又會(huì)重新回到不帶電的狀態(tài),也就是受到壓力的時(shí)候,某些晶體可能產(chǎn)生出電的效應(yīng),這就是所謂的極化效應(yīng)??茖W(xué)家就是根據(jù)這個(gè)效應(yīng)研制出了壓力傳感器。
半導(dǎo)體壓電阻抗擴(kuò)散壓力傳感器是在薄片表面形成半導(dǎo)體變形壓力,通過外力(壓力)使薄片變形而產(chǎn)生壓電阻抗效果,從而使阻抗的變化轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
靜電容量型壓力傳感器,是將玻璃的固定極和硅的可動(dòng)極相對而形成電容,將通過外力(壓力)使可動(dòng)極變形所產(chǎn)生的靜電容量的變化轉(zhuǎn)換成電氣信號(hào)。 (E8Y的動(dòng)作原理便是靜電容量方式,其他機(jī)種采用半導(dǎo)體方式)。
壓電傳感器中使用的壓電材料包括有石英、酒石酸鉀鈉和磷酸二氫胺。其中石英(二氧化硅)是一種天然晶體,壓電效應(yīng)就是在這種晶體中發(fā)現(xiàn)的,在一定的溫度范圍之內(nèi),壓電性質(zhì)一直存在,但溫度過這個(gè)范圍之后,壓電性質(zhì)完全消失(這個(gè)高溫就是所謂的“居里點(diǎn)”)。由于隨著應(yīng)力的變化電場變化微?。ㄒ簿驼f壓電系數(shù)比較),所以石英逐漸被其他的壓電晶體所替代。而酒石酸鉀鈉具有很大的壓電靈敏度和壓電系數(shù),但是它只能在室溫和濕度比較環(huán)境下才能夠應(yīng)用。磷酸二氫胺屬于人造晶體,相對密度1.80,熔點(diǎn)190℃,能夠承受高溫和相當(dāng)高的濕度,在空氣中穩(wěn)定。常溫下( 20℃)在水中的溶解度為37.4g,微溶于乙醇,不溶于丙酮,所以 已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用。在現(xiàn)在壓電效應(yīng)也應(yīng)用在多晶體上,比如現(xiàn)在的壓電陶瓷,包括鈦酸鋇壓電陶瓷、PZT、鈮酸鹽系壓電陶瓷、鈮鎂酸鉛壓電陶瓷等等。
ATOS壓力傳感器E-ATR-8/400/I結(jié)構(gòu)方式
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